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一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的方法，将LED独立绝...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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