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本发明公开一种硅穿导孔的制作方法，其包含：以一次干式蚀刻在硅基板而形成环形硅深孔，并填入绝缘材料形成绝缘壁部；以及以一次湿式蚀刻在绝缘壁部内的硅基板而形成柱状硅深孔，并填入导电金属，以便由绝缘壁部与金属柱或金属层构成一硅穿导孔。本发明以湿式...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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