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本发明公开了一种应变Si?BiCMOS集成电路的制备方法，包括以下步骤：选第一类型Si片作衬底，在其表面形成第二类型重掺杂埋层区域；外延生长集电极，刻蚀深槽隔离区域，形成基区和重掺杂发射区；在PMOS有源区垂直方向上生长漏区、第一应变Si层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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