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本发明涉及一种太阳能电池硅片的磷扩散工艺，先以变温(750-800℃)预沉积一层薄且均匀的P2O5，然后再以变温（800-850℃）进行推进的两步扩散法，其中低温淀积可以降低硅片表面的浓度，减少死层，降低了暗电流，低温情况下也更好的降低热损...
该专利属于江苏顺风光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏顺风光电科技有限公司授权不得商用。

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