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直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料制造技术
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下载直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的技术资料
文档序号:7833780
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本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反...
该专利属于重庆大学所有,仅供学习研究参考,未经过重庆大学授权不得商用。
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