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本发明公开了一种卷闸式循环比可调氧化沟装置及其操作方法，该装置包括厌氧池(2)、氧化沟池(3)和沉淀池(4)，在厌氧池(2)内部设置有搅拌器(9)；氧化沟池(3)划分为好氧区和缺氧区，在好氧区起始端和缺氧区起始端分别设置有卷闸式循环比调控设...
该专利属于天津城市建设学院所有，仅供学习研究参考，未经过天津城市建设学院授权不得商用。

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