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本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种掺镓氧化锌薄膜的制备方法，其方法包括如下步骤：将Ga2O3粉体和ZnO粉体混合，烧结作为GZO靶材，Ga2O3粉体与ZnO粉体的质量比为1/1999～1/99；将GZO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设...该专利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司授权不得商用。