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本发明公开了一种C/SiC复合材料及其制备方法。本发明所提供的C/SiC复合材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的:采用化学气相渗透法依次在碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和碳化硅基体得到C/SiC复合材料;其中,所述碳化硅基体的沉积条件如...该专利属于中国人民解放军总后勤部军需装备研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军总后勤部军需装备研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种C/SiC复合材料及其制备方法。本发明所提供的C/SiC复合材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的:采用化学气相渗透法依次在碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和碳化硅基体得到C/SiC复合材料;其中,所述碳化硅基体的沉积条件如...