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本发明公开了一种应用于铜互连的Air-Gap工艺，包括：通过对牺牲层图形化，形成顶部大底部小的图形，并在图形内填充第一介质层；在第一介质层内形成沟槽或沟槽加通孔结构并填充金属铜和平坦化工艺；去除所述牺牲层；在衬底、第一介质层以及金属铜上沉积...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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