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本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括:激光二极管元件;以及光反射器,其中,激光二极管元件包括(a)层压结构体,所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层,由GaN基化合...该专利属于索尼公司;国立大学法人东北大学所有,仅供学习研究参考,未经过索尼公司;国立大学法人东北大学授权不得商用。
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本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括:激光二极管元件;以及光反射器,其中,激光二极管元件包括(a)层压结构体,所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层,由GaN基化合...