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本发明提出一种倒装LED芯片结构，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。采用了与生长基板热膨胀系数相近的硅合金材质的转移基板作为LED芯片的衬底，降低了LED芯片器件层的晶格错位损伤，...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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