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本发明公开了一种复合牺牲层制作红外探测器的方法，在CMOS硅衬底上依次完成金属层、第一层牺牲层聚酰亚胺、第二层牺牲层非晶硅、通过对牺牲层图形化形成的通孔；层叠制作结构层、通过图形化形成的接触孔；制作敏感层、金属电极层、释放保护层，以及对敏感...
该专利属于浙江大立科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大立科技股份有限公司授权不得商用。

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