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本发明公布了一种从SOI?PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI?PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在SOI?PMOSFET...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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