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一种半导体材料表面光电压的测量方法，其特征是方法步骤为：（1）准备需要测量的表面清洁的半导体材料；（2）准备好开尔文探针系统和照射光源；（3）利用开尔文探针系统测量在光照射前后半导体材料表面电子功函数的变化曲线图，读取光照射前后材料表面的电...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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