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本发明提供了一种半导体发光二极管器件及其形成方法，所述器件包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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