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本发明涉及一种铜铟硫薄膜的制备方法，属于光电材料技术领域。其主要特征是：采用电化学沉积法制备铜铟合金膜，再通过硫化退火的方法得到铜铟硫合金膜。本发明制得的铜铟硫薄膜不含杂相，表面呈柱状颗粒并且致密均匀的连结在一起；吸收系数可达到105cm-...
该专利属于北京化工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京化工大学授权不得商用。

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