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本发明公开了一种有序硅纳米线阵列的制备方法，属于有序硅纳米线阵列制备领域。该方法包括：在硅片上通过旋涂制备双层聚苯乙烯微球密排阵列结构，之后用氩气等离子体蚀刻，得到初始模板；将所述初始模板放入硝酸铁溶液中浸润，浸润后再放入炉中高温退火，退火...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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