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本发明公开了一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，用标准半导体工艺中的光刻和湿法腐蚀在硅片正面制得倒金字塔结构的凹陷，作为针尖的模版；然后在硅片上生长SiC薄膜，并开窗口定义出SiC针尖和悬臂梁结构；同时用光刻和湿法腐蚀(或干法刻蚀)在玻璃片的正...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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