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本发明公开了一种TFT的制造方法，用于改善TFT的漏电流，提高LDD掺杂精度，且制造方法简单，适用于大规模生产。所述方法为：对TFT除沟道区外的所有区域进行LDD掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属膜为...
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