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本发明公开了一种薄膜场效应晶体管器件及其制备方法，该方法包括：对SOI衬底的绝缘薄膜层上面的单晶硅薄膜层进行光刻和刻蚀，以刻蚀后的单晶硅薄膜层作为沟道；在制备出单晶硅沟道的SOI衬底的上面制备栅极绝缘层；制备栅极，以及制备漏电极和源电极。采...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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