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本发明涉及一种半导体激光器，其包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间的活性层。该N型半导体层具有一个远离该活性层的第一表面。该P型半导体层具有一个远离该活性层的第二表面。该半导体激光器包括位于该第一表面与...该专利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司授权不得商用。