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本发明涉及测量γ/X辐射场强度的方法及电流型半导体探测结构，有以下步骤：1]用杂散电子过滤片过滤γ/X射线与探测器周围物质作用产生的杂散电子；所述杂散电子过滤片为低原子序数绝缘介质材料；2]用电流型半导体探测器测量从杂散电子过滤片穿出的电子...
该专利属于西北核技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西北核技术研究所授权不得商用。

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