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一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺制造技术
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下载一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺的技术资料
文档序号:7677238
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本发明公开了一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,通过控制原料的比例、陈化时间和温度以及超临界萃取的条件,得到一种粒子均匀,尺寸在50-200nm之间,厚度10-20nm之间,且具有很好的结晶度和明显的单晶衍射的...
该专利属于上海师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海师范大学授权不得商用。
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