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本实用新型公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极。本实用新型中的电极为一种延展电极，该电极从芯片注入区延展至非注入区，电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离，钝化层为200～300nm厚的CdTe与ZnS复合钝化层。本实...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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