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本发明公开一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管，通过能带工程设计，将铟镓氮量子阱设计为倾斜的结构，从而调制阱的禁带宽度。本发明能克服量子阱内极化效应产生的极化电场，使电子和空穴的分布更加均匀，从而提高发光二极管的量子效率。...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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