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文档序号:7627229
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本发明提供输出电路,其能够流过更充分的输出电流。在PMOS晶体管(12)的漏极电流大的情况下,PMOS晶体管(13)在非饱和区域内进行动作。此时,NMOS晶体管(14)以及(17)的栅极电压上升到电源端子电压附近。因此,NMOS晶体管(17...
该专利属于精工电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过精工电子有限公司授权不得商用。
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