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一种光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在晶圆上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行软烘烤，优化软烘烤温度和时间；对光刻胶层进行固胶处理，优化固胶温度和时间，使软烘烤及固胶后光刻胶层的缩胶量最小。本发明使缩胶量达到最小，进而使后续形成的半...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。