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本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极位于超级结MOSFET元胞区域的源端两个体区之间的漂移区上，肖特基二极管的阳极与超级结M...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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