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本发明公开了一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤...