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本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N+型掺杂层；在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该薄膜覆盖的区域为开放区域；对该开放区域进行蚀刻，蚀刻深度大于该N+型掺杂层的厚度并且直至该N型基底；加速P...
该专利属于上海凯世通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体有限公司授权不得商用。

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