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本发明公开了一种纵向PN结电压控制变容器,为电压控制变容器中的PN结由具有沟槽的外延层和在所述沟槽内壁以及所述外延层上面的离子注入层组成,所述离子注入层具有与所述外延层相反的导电类型,所述PN结制备在掺杂类型与所述外延层相同的衬底上,所述离...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种纵向PN结电压控制变容器,为电压控制变容器中的PN结由具有沟槽的外延层和在所述沟槽内壁以及所述外延层上面的离子注入层组成,所述离子注入层具有与所述外延层相反的导电类型,所述PN结制备在掺杂类型与所述外延层相同的衬底上,所述离...