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公开一种氮化物半导体器件，其中超晶格应变缓冲层通过使用具有低Al含量的AlGaN层或GaN层而以良好的平坦性形成，和具有良好平坦性和良好结晶性的氮化物半导体层在所述超晶格应变缓冲层上形成。特别公开一种氮化物半导体器件，其包括基板；在所述基板...
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