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本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法，首先在生长衬底上依次生长出N型半导体层、有源层及P型半导体层，以形成芯片外延结构；在P型半导体层上制作电流扩散层、P反射镜及P键合层；腐蚀单晶Si片形成具有规则图形化表面的Si转移衬底；并在...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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