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本发明涉及一种倒装LED芯片的制作方法包括以下制作步骤：在P型欧姆接触层表面形成光反射层；形成N型电极形成区；形成绝缘介质膜；形成P型电极区和N型电极区；制作形成P型电极和N型电极，其中N型电极为阶梯结构，N型电极的下端穿过所述绝缘介质膜与...
该专利属于余丽所有，仅供学习研究参考，未经过余丽授权不得商用。

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