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本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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