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一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法,包括以下步骤:(1)对常压高温裂解转化合成装置抽真空,用氮气充满至常压;(2)将聚硅碳硅烷引入常压高温裂解转化合成装置内;(3)将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物置于常压高温裂解转化合成装置...该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。
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一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法,包括以下步骤:(1)对常压高温裂解转化合成装置抽真空,用氮气充满至常压;(2)将聚硅碳硅烷引入常压高温裂解转化合成装置内;(3)将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物置于常压高温裂解转化合成装置...