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文档序号:7579136
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本发明提供一种半导体元件,其可以经由沟道层而进行晶体管动作与二极管动作。在以源极电极(150)的电位为基准的栅极电极(165)的电位Vgs是0伏特时,借助体区域(130)的一部分与沟道层(150)之间的pn结,在沟道层(150)的至少一部分...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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