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本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所述II-VI族纳米材...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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