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一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层（22），其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层（26），其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层（10），该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。...该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司授权不得商用。