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本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，包括：氧化、有源区及场限环光刻的步骤；掺杂与推进的步骤；多晶硅场板制作的步骤；铂扩散的步骤；减薄的步骤；形成N型缓冲层的步骤；接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本发明所述方法可以用来...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所授权不得商用。