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本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米硅的制备技术领域。本发明先在洁净的硅片上进行银镜反应；然后将其放入刻蚀液中在一定温度下进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液；刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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