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一种MIM电容属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种MIM电容。本实用新型提供一种电流承受能力强、对信号的衰减低、可提高射频功率放大器增益的MIM电容。本实用新型包括MIM电容，其结构要点MIM电容的下极板的顶层金属与顶层延长金属相连，下极板...
该专利属于沈阳中科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳中科微电子有限公司授权不得商用。

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