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本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层，或在场环区的栅极孔...
该专利属于江苏宏微科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技有限公司授权不得商用。

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