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一种肖特基二极管结构，包括：一半导体基层，作为阴极端；一磊晶层，为结于半导体基层之上，该磊晶层上蚀刻形成数个沟槽；至少一高浓度掺杂层，为高浓度半导体掺杂区块，结合于该沟槽的外围，使该高浓度掺杂层表面邻接该磊晶层；一介电层，结合于高浓度掺杂层...
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