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本发明公开了一种低寄生晶体管导通的功率组件，包含沟渠式晶体管和一设置在沟渠式晶体管的一源极的一侧的重掺杂区，重掺杂区的导电型态和源极相异，另外，一接触插塞接触并且电连结重掺杂区，一源极导线覆盖沟渠晶体管的源极以及前述的接触插塞，使得源极和重...
该专利属于大中积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中积体电路股份有限公司授权不得商用。

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