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一种可控孔度阴极及其制备方法，属于微波真空电子器件领域，包括一个含有活性物质的阴极基体，该阴极基体上顶面溅射沉积一层厚度为3～5μm的锇膜，下底面支撑在一个热丝加热屏蔽筒上。该制备方法流程为：a.制备阴极基体；b.阴极基体与屏蔽筒装配；c....
该专利属于中国电子科技集团公司第十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十二研究所授权不得商用。

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