温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n+GaN欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN欧姆接触...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。