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一种生产多晶硅的方法，包括：将硅原料放入坩埚中，通过电子束熔化原料的顶部，形成熔融状态；在达到1500℃的熔融状态下保温，并加入造渣剂进行氧化造渣、去渣；将去渣后的硅熔液倒入容器中，并保温36小时凝固成锭；切除硅锭顶部，打磨四周、去除金属杂...
该专利属于虞海盈所有，仅供学习研究参考，未经过虞海盈授权不得商用。

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