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本发明公开一种机械强度测试设备、半导体装置的制造方法与测试方法。制造方法包括下列步骤。提供一待测物。待测物包括一晶片、一绝缘层与多个导电柱。晶片包括多个芯片区。晶片的表面具有多个第一与第二盲孔。第一盲孔位于芯片区外，第二盲孔位于芯片区内。绝...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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