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本发明实施例公开了一种通孔形成方法，包括：提供基底，所述基底表面上依次形成有：金属层、刻蚀阻挡层、第一介质层和第二介质层；在第二介质层表面上形成通孔的光刻胶图形；以通孔的光刻胶图形为掩模，采用干法刻蚀工艺在第二介质层中形成通孔；以通孔的光刻...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。